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O V-NAND (Vertical NAND) é uma técnica que aumenta a capacidade de armazenamento do chip “empilhando” células em vez de mantê-las apenas “lado a lado”. Quanto mais camadas de células, mais dados podem ser armazenados, consequentemente. Outros fabricantes se referem a essa técnica como 3D NAND. A primeira geração do V-NAND era formada por 24 camadas de células. O número foi aumentando progressivamente:
1ª geração (julho de 2013): 24 camadas2ª geração (agosto de 2014): 32 camadas3ª geração (agosto de 2015): 48 camadas4ª geração (dezembro de 2016): 64 camadas5ª geração (maio de 2018): 9x camadas6ª geração (julho de 2019, apesar de anunciada em agosto): 1xx camadas
Nas palavras da Samsung, a sexta geração do V-NAND adiciona 40% mais células à estrutura de armazenamento em comparação com a quinta geração. Isso significa que os primeiros chips com a nova tecnologia poderão contar com 136 camadas de células. Ainda de acordo com a Samsung, os novos chips consomem 15% menos energia que a geração anterior e são 10% mais rápidos na transferência de dados. Para evitar que esses avanços tornem os chips mais suscetíveis a erros de leitura e problemas de latência, a companhia desenvolveu um projeto de circuito que otimiza a transferência de dados sem comprometer o desempenho: as taxas ficam abaixo de 450 microssegundos nas operações de gravação e 45 microssegundos nas leituras.
Graças a esse processo de otimização, a Samsung estima que poderá implementar mais de 300 camadas na próxima geração do V-NAND sem prejudicar a confiabilidade ou o desempenho dos chips. Quando a nova tecnologia chegará ao mercado? A Samsung ainda não revelou datas, mas diz que já iniciou a produção de SSDs de 250 GB baseados nos novos chips V-NAND — cada um deles armazena três bits por célula e têm capacidade total de 256 gigabits. A intenção é lançá-los até o fim do ano. Também há planos de produzir neste semestre os novos chips V-NAND em versões de 512 gigabits e levar a tecnologia ao padrão eUFS (chip de armazenamento voltado a celulares).
